性能提升22% 英特尔全面进军32nm工艺制程

Intel在2008年领先了AMD一大截，看来09年这一形势还将继续保持，英特尔已经正式宣布将在明年一季度正式拉开32nm制造工艺量产的大幕。而且随着Intel在晶体管技术和45nm工艺上取得飞跃，相对于AMD的领先优势也在进一步扩大。
台湾主板商指出，AMD也迫切需要开发出自己的革新技术，而不是一味与Intel正面对峙。作为目前主流45nm制造工艺技术的升级版，32nm制造工艺技术是英特尔推出的领先杀手锏，在竞争对手都纷纷还在刚进入45nm时，英特尔此举无疑已经甩开了他们一大步。

早先英特尔已经在IDF大会上展示了其32nm测试晶圆
脚步的加快主要归功于32nm制程研发比预期的要顺利很多，目前看来2009年底量产的计划不会又任何问题阻挠，因此并没有再推出45nm制程的Havendale处理器的需要，提前放出这颗采用32nm工艺制程的Calrkdale处理器，将进一步巩固自己的优势地位。
有消息称Intel原定于今年年底量产、内建显示核心的45nm Havendale处理器，由于32nm第二代Hi-K制程已经非常成熟的关系，最终决定取消量产，直接由32nm版本Clarkdale处理器取代，而且更重要的是时间上并不会延后，原定的生产时间和上市时间不变，不过由于集成了显示核心，所以功耗会有比较明显的上升。
32nm制程的Clarkdale处理器采用双芯片封装技术，采用经过改良的Westmere微架构设计，LGA 1156接口，支持Hyper-Threading技术，内建4MB L3 Cache，内部同样集成了双通道DDR3内存控制器，最高支持DDR3 1333规格的内存。集成PCI-E控制器，可提供1组PCI-E x16或两组PCI-E x8接口，但是仅限搭配P55/P57芯片组。

已经曝光的32nm处理器实物图
说得直白点，32nm是指半导体晶片的制造工艺技术。半导体的制程技术在不断发展革新，同时也让处理器芯片的体积更小，性能越发强大。采用高k+金属栅极的45nm制程技术取得巨大成功之后，英特尔再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32纳米制程技术，目前已接近量产。这种新制程技术将用来制造英特尔Nehalem微体系架构的32nm版本-Westmere。
Intel总裁兼首席执行官Paul Otellini宣布将在未来两年内投资70亿美元，用于在美国境内建设新的高级晶圆厂，部署下一代32nm工艺。这次投资主要分布在俄勒冈州、亚利桑那州和新墨西哥州三地，位于俄勒冈州的D1D芯片厂目前已经投入使用，同样位于俄勒冈州的D1C芯片厂将于2009年第四季度投入使用，以满足32nm产品的生产需求。2010年，英特尔将再建两座制造工厂。位于亚利桑那州的Fab 32生产厂和位于新墨西哥州的Fab 11X生产厂。

英特尔计划建设中的工厂
据悉，这是Intel公司历史上为新生产工艺投入资金规模最大的一次，在经济危机大环境下显得特别引人注目。Otellini宣称，这能继续保证Intel和美国走在创新技术的最前沿。
Intel已经可以提供32nm处理器的样品，预计在2009年第四季度，就可以大规模量产。那么未来Intel将怎样玩弄32nm技术，未来都会有怎样的处理器怎样的新产品降世。